這種缺口是趨勢轉(zhuǎn)強或者轉(zhuǎn)弱的標志，一旦形成突破性缺口，通常不會進行回補。③持續(xù)性缺口；這種缺口成為中繼缺口，也就是市場趨勢形成后，經(jīng)過一段時間的發(fā)展，到了中樞區(qū)域，價格或者指數(shù)會產(chǎn)生跳空加速，形成一種中級形態(tài)，后市會繼續(xù)延續(xù)原有的趨勢運行，①普通缺口；一般發(fā)生在成交量較小的情況下，造成這種缺口的原因是市場的參與度比較低，一些較小的交易便導(dǎo)致價格的跳空。

1、股市中的缺口是什么意思？為什么會出現(xiàn)缺口？為什么會有回補缺口一說？

股市中的缺口一般分為四種：①普通缺口；一般發(fā)生在成交量較小的情況下，造成這種缺口的原因是市場的參與度比較低，一些較小的交易便導(dǎo)致價格的跳空。這類缺口對市場預(yù)測的意義不大，對市場當前的趨勢以及形態(tài)不會有明顯的改變，②突破性缺口；通常發(fā)生在重要的價格（或點位）區(qū)域，或者發(fā)生在一輪新的格局之初。這種缺口往往發(fā)生在比較重要的位置，而且會伴隨著較大成交量，

這種缺口是趨勢轉(zhuǎn)強或者轉(zhuǎn)弱的標志，一旦形成突破性缺口，通常不會進行回補。也就是說，突破性缺口的位置在后市將會成為關(guān)鍵的支撐位或者阻力位，③持續(xù)性缺口；這種缺口成為中繼缺口，也就是市場趨勢形成后，經(jīng)過一段時間的發(fā)展，到了中樞區(qū)域，價格或者指數(shù)會產(chǎn)生跳空加速，形成一種中級形態(tài)，后市會繼續(xù)延續(xù)原有的趨勢運行。

2、為什么造芯片是光刻晶圓而不是晶“方”呢？

(1)目前制作半導(dǎo)體集成電路芯片、大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路芯片、超大規(guī)模集成電路芯片，所使用的半導(dǎo)體襯底材料，大多是硅單晶（只有在工作頻率特別高的場合下，才使用砷化鎵單晶），這就是晶圓中“晶”字的含義；下面交待晶圓中“圓”字的含義、或者說不叫作晶“方”的原因。(2)自然界中既不存在硅單晶，也不存在單質(zhì)硅，

集成電路的原材料，要先從石英砂（二氧化硅）做起。①雖然地殼礦物質(zhì)中，硅元素含量最豐，約28.15%，但幾乎全部為二氧化硅和硅酸鹽之類的化合物，而且世界上只有挪威和巴西的石英砂（二氧化硅）可以作為制作硅單晶的原始材料，其它地方出產(chǎn)的石英砂全不堪用（因為哪怕只有痕跡量的鐵類雜質(zhì)也是難以摒除的，因而不能采用）。

石英砂的照片見圖1，②高純度二氧化硅經(jīng)過化學還原反應(yīng)，生成金屬級別的硅。再將其與氯化氫氣體反應(yīng)，生成甲硅烷和三氯硅烷等中間化合物；再與高純氫氣發(fā)生化學氣相沉積反應(yīng)，使超高純度的單質(zhì)硅析出在多晶硅仔晶棒上，形成多晶硅棒，這時硅的雜質(zhì)濃度降低到了十億分之一個原子以下，是世界上到目前為止純度最高的人工物質(zhì)。

接著將多晶硅棒粉碎成適當大小的顆粒，清洗干凈，再根據(jù)需要制作的半導(dǎo)體單晶硅襯底的類型，有控制地摻入適當微量的雜質(zhì)，如果要制成p型半導(dǎo)體襯底，就摻入微量的硼元素；要制成n型半導(dǎo)體，就摻入微量的磷元素或銻元素。摻入量的多少取決于要制作的單晶硅襯底的體電阻率，③然后，將這些摻雜后的多晶硅顆粒放入單晶硅生長設(shè)備的石英坩堝內(nèi)的石墨坩堝中，去拉制單晶硅錠。

常見的兩種單晶硅錠生長方法是提拉法和浮動區(qū)域熔融法，其中后一種方法屬于早期采用的方法，圖2顯示的是單晶硅的拉制過程。圖3是多晶硅變化為單晶硅過程中的硅原子排列模型，圖4是拉制出的紡錘狀單晶硅錠。圖5是通過內(nèi)圓刀切割紡錘狀單晶硅錠的方法，形成“晶圓”的過程示意圖（橫向切割紡錘體狀單晶硅，切割下來的單晶片無疑應(yīng)當是晶“圓”片，而不可能是晶“方”片了），

再接下來，將晶圓片倒角、機械研磨、化學研磨、退火、鏡面研磨、清洗，轉(zhuǎn)入后面的半導(dǎo)體集成電路芯片制作階段。④在同一片晶圓片上，會制作出許許多多一個個完全相同的集成電路（或大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路）芯片，在一整片晶圓片上制作芯片完成后，再將整片晶圓切割成一個個的集成電路芯片，見圖6。最后，才將小小的集成電路芯片封裝進集成電路外殼，見圖7，就是我們常見到的集成電路了，

3、芯片科技產(chǎn)業(yè)為什么會有30萬的人才缺口，動不動上百萬年薪？