什么是低介入產(chǎn)品，讀書而無創(chuàng)造思維的介入不可能把書讀活是什么意思

來源：整理時(shí)間：2023-03-30 08:14:52 編輯：金融知識(shí) 手機(jī)版

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1，讀書而無創(chuàng)造思維的介入不可能把書讀活是什么意思
2，什么是虛擬化產(chǎn)品有什么用
3，什么是低端產(chǎn)品和高端產(chǎn)品
4，擺地?cái)偸蟊├a(chǎn)品是什么
5，什么是低k介質(zhì)

1，讀書而無創(chuàng)造思維的介入不可能把書讀活是什么意思

人干什么都有創(chuàng)造性思維的介入。這是一個(gè)偽命題。

讀書而無創(chuàng)造思維的介入不可能把書讀活是什么意思

2，什么是虛擬化產(chǎn)品有什么用

虛擬化是一個(gè)廣義的術(shù)語，在計(jì)算機(jī)方面通常是指計(jì)算元件在虛擬的基礎(chǔ)上而不是真實(shí)的基礎(chǔ)上運(yùn)行。虛擬化技術(shù)可以擴(kuò)大硬件的容量，簡(jiǎn)化軟件的重新配置過程。CPU的虛擬化技術(shù)可以單CPU模擬多CPU并行，允許一個(gè)平臺(tái)同時(shí)運(yùn)行多個(gè)操作系統(tǒng)，并且應(yīng)用程序都可以在相互獨(dú)立的空間內(nèi)運(yùn)行而互不影響，從而顯著提高計(jì)算機(jī)的工作效率。

什么是虛擬化產(chǎn)品有什么用

3，什么是低端產(chǎn)品和高端產(chǎn)品

這個(gè)只是相對(duì)而言了····高端高能低端能力低點(diǎn)··你也可以這樣理解····· 但是也有例外的

相對(duì)而言的而已，現(xiàn)在的低端產(chǎn)品10年前還不是高端產(chǎn)品，呵呵，硬要說的話，硬件性能好的產(chǎn)品就是高端產(chǎn)品，反之一般配置的就是相對(duì)而言的“低端產(chǎn)品”。

這些都是由大眾的一般的消費(fèi)能力所確定的... 價(jià)格比較低的性能，做工相對(duì)比較弱定位就低端了... 價(jià)格比較高性能比較好，做工比較硬的..定位就高端了....

需求低就選擇性能不是很高的低端產(chǎn)品，需求高就選擇性能相對(duì)好的高端品，好不好是就你本身的要求而言，需求低要高端的一個(gè)是沒用費(fèi)錢，還有就是沒底端的簡(jiǎn)單實(shí)用，需求高選底端的無法達(dá)標(biāo)，因此還是按照需求來說比較好

什么是低端產(chǎn)品和高端產(chǎn)品

4，擺地?cái)偸蟊├a(chǎn)品是什么

擺地?cái)偸蟊├a(chǎn)品是小吃、甜品、小飾品、衣服、手機(jī)貼膜、打印照片、水果、包包、玩具、家用品。1、小吃俗話說民以食為天，吃對(duì)每個(gè)人都是相當(dāng)重要的，小吃算是街頭一種特別的風(fēng)采，想要街頭擺地?cái)傋鲂〕允遣诲e(cuò)的選擇?？梢韵葘W(xué)習(xí)下，然后購(gòu)買工具，差不多就可以上街?jǐn)[起來了。2、甜品夏天來了各種冰淇淋雪糕奶茶等等都成為了熱銷產(chǎn)品，在街頭販賣也挺好的。只要購(gòu)買一個(gè)冰柜，就可以開始做生意了，成本很小而且前景不錯(cuò)。3、小飾品不管是頭繩還是鑰匙鏈還是其他的小東西，都是可以拿到地?cái)傌溬u的。這些東西成本很低，賣的也不錯(cuò)，說是十大擺地?cái)偙├a(chǎn)品也是可以理解的。4、衣服雖然說現(xiàn)在淘寶已經(jīng)很流行了，但是地?cái)偟囊路€是有市場(chǎng)的。畢竟一些年紀(jì)大的人可能不是很會(huì)操作淘寶，對(duì)他們來說地?cái)偵衔锩纼r(jià)廉的衣服買買還是很實(shí)惠的。5、手機(jī)貼膜大家經(jīng)?？吹绞裁词謾C(jī)貼膜發(fā)家致富的事情，其實(shí)這也是有可能的。雖然說貼個(gè)膜十塊錢看著不多，但是現(xiàn)在手機(jī)膜很便宜，一晚上人流量大，手快可以賺不少。6、打印照片現(xiàn)在很多人喜歡用手機(jī)拍照，一些拍的比較好的有紀(jì)念意義的又想弄成照片保存起來。如果想街頭打印照片，可以購(gòu)買專業(yè)的儀器，在人流量大的地方擺起來就行了。7、水果夏天有很多好吃的水果，比如桃子西瓜等等，這些水果吃著味道很好，而且還可以補(bǔ)充營(yíng)養(yǎng)。可以去批發(fā)一些價(jià)格便宜點(diǎn)的，品質(zhì)好的，只要品質(zhì)有保障，還是能賣出去的。8、包包女孩子都是比較愛美的，可以進(jìn)一些干凈的款式比較好看的包包，價(jià)格也不能太貴，不過還是要看個(gè)人眼光了。9、玩具小孩子的玩具種類很多的，各種發(fā)光的唱歌的會(huì)動(dòng)的都很吸引目光，小孩子看到了可能就走不動(dòng)道了，要家里家長(zhǎng)買。10、家用品酒精、洗潔精、除味劑等等，很多東西都是家庭需要用到的，晚上閑逛的時(shí)候看到了可能就會(huì)買點(diǎn)回去，而且這些東西成本比較低，說是十大擺地?cái)偙├a(chǎn)品之一也不為過。

5，什么是低k介質(zhì)

材料技術(shù)--高K值材料與應(yīng)變硅加速晶體管內(nèi)電流速度相反，在不同晶體管之間需要更好的絕緣，以避免電流泄漏的問題。在90納米工藝之前，這個(gè)問題并不嚴(yán)重，因?yàn)榫w 管之間有較長(zhǎng)的距離。但轉(zhuǎn)換到90納米工藝之后，不同晶體管的間距變得非常之短，電流泄漏現(xiàn)象變得異常嚴(yán)重。而為了抵消泄漏的電流，芯片不得不要求更大的供電量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。我們可以看到，無論英特爾還是AMD，90納米工藝制造的產(chǎn)品都沒有在功耗方面表現(xiàn)出應(yīng)有的優(yōu)勢(shì)，而按照慣例，每次新工藝都會(huì)讓同型芯片的功耗降低30%左右?！?duì)于65納米工藝來說，這個(gè)問題到了非解決不可的地步。IBM和AMD都采用SOI(絕緣層上覆硅，Silicon On Insulator)技術(shù)，SOI有效隔斷了各電極向襯底流動(dòng)的漏電流，使之只能夠通過晶體管流動(dòng)，但它對(duì)于同級(jí)晶體管之間的阻隔效果并不理想。英特爾早先認(rèn)為SOI技術(shù)難度太大，所以沒在此花費(fèi)功夫?！　‘?dāng)然，他們也認(rèn)為無法繼續(xù)用二氧化硅做為晶體管的門—通道之間的絕緣層。為此，英特爾決定采用高K值的氧化物材料來制造晶體管的柵極，英特爾稱之為“高K門電介質(zhì)”(High K gate Dielectric)。這種材料對(duì)電子泄漏的阻隔效果可以達(dá)到二氧化硅的10000倍，電子泄漏基本被阻斷，這樣就可以在絕緣層厚度降低到0.1納米時(shí) 還擁有良好的電子隔絕效果。; |.　　不過，使用高K電介質(zhì)材料來替代二氧化硅要面對(duì)許多技術(shù)問題，例如高K介質(zhì)器件的門限電壓可能迅速竄升到500毫伏甚至更高，芯片在運(yùn)行過程中受熱升溫后，晶體管的門限電壓也將以不可預(yù)測(cè)的幅度來回?cái)[動(dòng)，這些問題很可能影響芯片的穩(wěn)定性。為此，找到具有高穩(wěn)定性的高K值材料至關(guān)重要，英特爾沒有透露65納米工藝將使用哪一種高K值材料，但他們聲稱這些問題都已經(jīng)得到良好的解決。若高K材料得到成功應(yīng)用，英特爾將在65納米工藝上遙遙領(lǐng)先對(duì)手，該工藝生產(chǎn)的CPU芯片將會(huì)具有相當(dāng)出色的功耗表現(xiàn)，目前Prescott高功耗的麻煩將一去不復(fù)返　　材料技術(shù)--低K電介質(zhì)材料　在90納米工藝中，英特爾只能實(shí)現(xiàn)7層銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)，而IBM大約在2000年時(shí)就成功研發(fā)出8層銅互聯(lián)技術(shù)。進(jìn)入到65納米工藝之后，英特爾終于實(shí)現(xiàn)了8層銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)，每一個(gè)芯片可以容納8個(gè)不同的邏輯電路層。層數(shù)越多，芯片占據(jù)的面積就越小，成本越低，但同時(shí)也要面對(duì)更多的技術(shù)問題。　　例如，不同的電路層需要用導(dǎo)線連接起來，為了降低導(dǎo)線的電阻(R值)，各半導(dǎo)體廠商都采用金屬銅來代替以往的金屬鋁(這也是“銅互聯(lián)”的得名由來)。其次，兩個(gè)電路層之間會(huì)產(chǎn)生一定的電容效應(yīng)(C值)，由導(dǎo)線電阻R和層間寄生電容C共同產(chǎn)生的RC延遲決定著芯片的高速性能。電路層越多，RC延遲就越高，芯片不僅難以實(shí)現(xiàn)高速度而且會(huì)增加能耗。使用電阻率更低的銅代替鋁作為導(dǎo)線，可以一定程度降低RC延遲。但在此之后，電路層之間的寄生電容C對(duì) RC延遲就起到主要的影響了?！〗鉀Q這個(gè)問題并不難。由于寄生電容C正比于電路層隔絕介質(zhì)的介電常數(shù)K，若使用低K值材料(K<3)作為不同電路層的隔絕介質(zhì)，問題便迎刃而解了。英特爾為65納米工藝準(zhǔn)備了一種K值很低的含碳氧化物(Carbon Doped Oxide，CDO)，但他們也未具體說明氧化物的類型，我們也就無法作進(jìn)一步的介紹　　讓晶體管“睡眠”　　雖然新工藝引入一定程度上降低了芯片的功耗，但為了盡可能獲得高性能，芯片的規(guī)模一再擴(kuò)大、頻率飛速提升，它的功耗水平也一直在緩慢地向上提升，到現(xiàn)在，主流處理器的功耗超過百瓦，而且還一直呈現(xiàn)向上提升態(tài)勢(shì)。但是，對(duì)應(yīng)的散熱技術(shù)并沒有任何革命性的進(jìn)步，為功耗高達(dá)百瓦的CPU散熱已經(jīng)接近極限—基于這個(gè)理由，英特爾不得不放棄NetBurst架構(gòu)轉(zhuǎn)入雙核心體系，最近英特爾取消了4GHz的Prescott處理器也是因?yàn)橥瑯拥脑?。　　轉(zhuǎn)變處理器設(shè)計(jì)思路是解決問題的根本辦法，但制造技術(shù)的改進(jìn)同樣可以起到良好的緩解作用。眾所周知，CPU的緩存單元從來都是發(fā)熱大戶，尤其是二級(jí)緩存占據(jù)晶體管總量的一半不止、對(duì)功耗的“貢獻(xiàn)”也極為可觀。為了降低大容量緩存帶來的高熱量，英特爾為其65納米SRAM芯片中引入了全新的“睡眠晶體管”功能，當(dāng)SRAM內(nèi)的某些區(qū)域處于閑置狀態(tài)時(shí)，睡眠晶體管就會(huì)自動(dòng)切斷該區(qū)域的電流供應(yīng)，從而令芯片的總功耗大大降低。此時(shí)，睡眠晶體管可以看作是SRAM的小型控制器，雖然它們自己并不會(huì)進(jìn)入睡眠狀態(tài)，但卻可以控制SRAM單元的晶體管進(jìn)行“睡眠”?！　∵@項(xiàng)技術(shù)與Pentium M的低功耗緩存設(shè)計(jì)有異曲同工之妙，雖然這二者在原理上并不相同。“睡眠晶體管”是在半導(dǎo)體制造技術(shù)層級(jí)上實(shí)現(xiàn)，可用于任何架構(gòu)的CPU芯片，而 Pentium M的低功耗緩存則是一項(xiàng)電路控制技術(shù)，它只對(duì)Pentium M架構(gòu)的產(chǎn)品有效，其他處理器若要有類似的功能就必須改變邏輯設(shè)計(jì)。