超導(dǎo)材料分為低溫和高溫超導(dǎo)材料。超導(dǎo)材料是什么？高溫超導(dǎo)材料高溫超導(dǎo)材料，它具有很高的臨界轉(zhuǎn)變溫度(Tc)并能在液氮溫度下工作超導(dǎo)材料，制備的高溫材料包括單晶、多晶塊體、金屬?gòu)?fù)合材料和薄膜，缺點(diǎn):超導(dǎo) 帶材不僅需要低溫，還需要一定的磁場(chǎng)，因?yàn)橹饕茄趸锊牧?，所以又叫高溫氧化物超?dǎo)材料。

技術(shù)狂人馬斯克倡導(dǎo)的“超級(jí)環(huán)高鐵”在美國(guó)已經(jīng)得到認(rèn)可，可行性研究正在進(jìn)行中。超級(jí)環(huán)高鐵采用低真空管和磁懸浮技術(shù)，速度將接近飛機(jī)每小時(shí)1000公里的速度。這種高鐵不僅可以建在地表，也可以建在地下隧道里。在中國(guó)，這個(gè)實(shí)驗(yàn)也在進(jìn)行中。在成都的一個(gè)實(shí)驗(yàn)室里，《經(jīng)濟(jì)半小時(shí)》記者看到，中國(guó)的科學(xué)家們正在為此而努力。中國(guó)公布高溫超導(dǎo)磁懸浮技術(shù)世界首條超高速磁懸浮列車用真空管道環(huán)形實(shí)驗(yàn)線平臺(tái)，這是我國(guó)首條載人高溫超導(dǎo)磁懸浮環(huán)形實(shí)驗(yàn)線。

優(yōu)點(diǎn):超導(dǎo)磁體具有無(wú)與倫比的低能耗特性，大大降低了分離裝置的運(yùn)行成本。雖然初期投資略高于常規(guī)磁體，但運(yùn)行成本很低，預(yù)計(jì)可降低90%以上。超導(dǎo)儲(chǔ)能與其他儲(chǔ)能技術(shù)相比，具有儲(chǔ)能密度高、儲(chǔ)能效率高(90%~95%)、釋放能量時(shí)無(wú)效率損耗等諸多優(yōu)點(diǎn)。超導(dǎo)儲(chǔ)能技術(shù)有許多重要用途，在節(jié)約電能、提高電網(wǎng)穩(wěn)定性、調(diào)節(jié)電力系統(tǒng)高峰負(fù)荷方面發(fā)揮著重要作用；它還可以用作空間站的電源，也可以用作受控?zé)岷朔磻?yīng)、激光武器、粒子束武器和軌道炮的脈沖電源。

與常規(guī)發(fā)電機(jī)相比，超導(dǎo)發(fā)電機(jī)具有以下優(yōu)點(diǎn):機(jī)械損耗和通風(fēng)損耗較小。雖然增加了冷卻系統(tǒng)的功率損耗，但整個(gè)發(fā)電系統(tǒng)的損耗僅為常規(guī)發(fā)電機(jī)的一半，使超導(dǎo)發(fā)電機(jī)的效率提高了0.5%~0.8%(常規(guī)發(fā)電機(jī)為98%，超導(dǎo)發(fā)電機(jī)為99%)。缺點(diǎn):超導(dǎo) 帶材不僅需要低溫，還需要一定的磁場(chǎng)。溫度等級(jí)只對(duì)應(yīng)超導(dǎo) body經(jīng)常出現(xiàn)的溫度范圍。最早的Hg是4.2K，后來(lái)發(fā)展到130K以上，也就是液氮的溫度。

超導(dǎo)材料分為低溫和高溫超導(dǎo)材料。實(shí)用低溫超導(dǎo)材料為NbTi和Nb3Sn，可應(yīng)用于工程。Nb3Al有很好的超導(dǎo)特性，但是制備工藝非常復(fù)雜，只有日本做的比較好！高溫超導(dǎo)材料包括YBCO膜、B2212、B2223 帶材、MgB2絲等。此外，還有一些不實(shí)用的簡(jiǎn)單物質(zhì)超導(dǎo)材料，如Nb、Hg等。

高溫超導(dǎo) material，它具有很高的臨界轉(zhuǎn)變溫度(Tc)，可以在液氮溫度下工作超導(dǎo) material。因?yàn)橹饕茄趸锊牧?，所以又叫高溫氧化物超?dǎo)材料。高溫超導(dǎo)該材料不僅轉(zhuǎn)變溫度高，而且由以銅為主要元素的多元金屬氧化物組成，氧含量和陶瓷性能不確定。氧化物中的金屬元素(如銅)可能有多種價(jià)態(tài)，化合物中的大部分金屬元素在一定范圍內(nèi)可以全部或部分被其他金屬元素替代，但仍保持其超導(dǎo)電學(xué)性質(zhì)。

已發(fā)現(xiàn)的高溫超導(dǎo)材料可分為含銅材料和不含銅材料。含銅的材料超導(dǎo)包括La-Ba-Cu-O系(Tc35~40K)和Y-Ba-Cu-O系(T根據(jù)釔含量不同比較復(fù)雜，最低20K，最高可超過(guò)90K)、鉍鍶鈣銅氧化物系(Tc10~110K)、鉈鋇鈣銅氧化物系(Tc125K)和鉛鍶釔銅氧化物系(Tc 70K左右)。無(wú)銅超導(dǎo)體主要是鋇、鉀、鉍、氧系(Tc在30K左右)，制備的高溫材料包括單晶、多晶塊體、金屬?gòu)?fù)合材料和薄膜。