ic工藝前道工藝與后道工藝是什么，求集成電路工藝前工序后工序預(yù)備工序具體工藝技術(shù)

來源：整理時間：2023-03-15 03:59:18 編輯：金融知識手機(jī)版

1，求集成電路工藝前工序后工序預(yù)備工序具體工藝技術(shù)

首先是設(shè)計仿真，然后流片。前端仿真后，做掩模板，光刻，測試，流片

任務(wù)占坑

求集成電路工藝前工序后工序預(yù)備工序具體工藝技術(shù)

2，芯片技術(shù)包含哪些制造一顆芯片到底有多難

一顆芯片的制造工藝非常復(fù)雜，一條生產(chǎn)線大約涉及50多個行業(yè)、2000-5000道工序。就拿代工廠來說，需要先將“砂子”提純成硅，再切成晶元，然后加工晶元。晶元加工廠包含前后兩道工藝，前道工藝分幾大模塊——光刻、薄膜、刻蝕、清洗、注入；后道工藝主要是封裝——互聯(lián)、打線、密封。其中，光刻是制造和設(shè)計的紐帶。九芯電子官網(wǎng)內(nèi)文提過：“集成電路是比航天還要高的高科技。有業(yè)內(nèi)人士表示，這種說法也不無道理，“航天的可靠性估計也就4個9、5個9的樣子(X個9表示在軟件系統(tǒng)一年時間的使用過程中，系統(tǒng)可以正常使用時間與總時間之比)?，F(xiàn)在硅晶圓材料的純度就要6個9以上?！薄?/section>

不難

芯片技術(shù)包含哪些制造一顆芯片到底有多難

3，硅片后道的主要工序是什么啊

從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產(chǎn)品的制造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的! 目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法占了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導(dǎo)體工業(yè)采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強(qiáng)化的優(yōu)點(diǎn)。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產(chǎn)出大尺寸的單晶硅棒。目前國內(nèi)主要采用CZ法 CZ法主要設(shè)備：CZ生長爐 CZ法生長爐的組成元件可分成四部分（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁（2）晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)元件（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥（4）控制系統(tǒng)：包括偵測感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng) 加工工藝：加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。（3）縮頸生長：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應(yīng)力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?-6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。（4）放肩生長：長完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。（5）等徑生長：長完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片加工流程：單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片倒角→研磨腐蝕--拋光→清洗→包裝切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。切斷的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或外園切割機(jī) 切斷用主要進(jìn)口材料：刀片外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。外徑滾磨的設(shè)備：磨床平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結(jié)晶方向平邊或V型。處理的設(shè)備：磨床及X－RAY繞射儀。切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。切片的設(shè)備：內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī) 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。倒角的主要設(shè)備：倒角機(jī) 研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。研磨的設(shè)備：研磨機(jī)（雙面研磨）主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被采用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。（B）堿性腐蝕，堿性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。拋光的設(shè)備：多片式拋光機(jī)，單片式拋光機(jī)。拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um；精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下主要原料：拋光液由具有SiO2的微細(xì)懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。清洗：在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。清洗的方式：主要是傳統(tǒng)的RCA濕式化學(xué)洗凈技術(shù)。主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產(chǎn)生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產(chǎn)生損耗是重?fù)綀宓琢?、頭尾料則無法再利用，只能當(dāng)成冶金行業(yè)如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產(chǎn)生損耗是非重?fù)綀宓琢?、頭尾料可利用制成低檔次的硅產(chǎn)品，此部分應(yīng)按邊角料征稅。重?fù)搅鲜侵笇⒍嗑Ч柙霞敖咏柡土康碾s質(zhì)（種類有硼，磷，銻，砷。雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內(nèi)溶化而成的料。重?fù)搅现饕糜谏a(chǎn)低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的硅片。損耗：單晶拉制完畢后的堝底料約15％。單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。單晶整形過程中（外徑磨削工序）由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。希望能對你有幫助!

硅片后道的主要工序是什么啊